型号: PXF1097
一个LVDT基本上是一个变压器。需要被激发的初级线圈,以在二次线圈中感应出电压。的激发需要是一个交变电压,在400赫兹至20千赫范围通常。方形,梯形等的波的形状可以使用,但一个正弦形波将产生最佳的结果。
施加到初级线圈的电压,产生一个电流,其大小依赖于在所选择的频率的初级线圈的阻抗。此电流诱导的LVDT的二次线圈的电流。
各二次线圈中感应的电流的量依赖于初级线圈和各二次线圈之间的互感。
这个互感,反过来,取决于芯的位置上,就每个次级线圈。
的LVDT的输出是这两个交流电压,其可以被添加到一个交流电压。此电压变化近似线性与核心的轴向位置。一个典型的LVDT信号调理电路,将这个交流电压转换为直流电压。
这个数字说明了LVDT的核心,在不同的位置,与LVDT的核心位置。激励激励的初级绕组,PRIM,在一个恒定的幅度的交流电压。开发中的周围的线圈的磁通耦合由核心的两个二次线圈的一段和二段。如果核心是在中间位置,将有等于耦合到每个次级绕组的磁通。在这种情况下的电压,USEC.1和USEC.2中感应绕组一段和二段,将相等。这中间的核心位置被称为零点。
当芯体被移动到该图中的右侧,将更多的磁通耦合到一段少二段。在这种情况下的感应电压USEC.1会增加,而且会降低感应电压USEC.2。另外。核心移动到左侧的情况下,更多的磁通将被耦合到二段少一段。差异,USEC.1减USEC.2的核心位置的变化。
图中显示的差分输出电压的幅度如何,UOUT(,相当于USEC.1减USEC.2),具有核心地位的变化而变化。曲线的斜率取决于主激励电压的振幅的特定的LVDT的灵敏度系数。典型的LVDT传感器的灵敏度是在10到100 mV /月/ V(激发)一炮而红。
从图中可以看出,一个LVDT的输出超过其核心运动(通常称为“测量范围”)的指定的范围内是线性的。它也可以被看作在LVDT可以使用其测量范围之外,精度降低。