XS -ZTR_LVDT_抗辐射型

 XS-ZTR 位移传感器

抗辐射型LVDT

• 性能优异

• 高抗辐射

•所有产品均随附有校准证

产品说明

XS-ZTR系列LVDT设计用于在超高或超低温度环境下工作。XS-ZTR在55O℃能够持续工作。非工作状态下能承受650℃数小

11 20

时。XS-ZTR在暴露于10 rads伽玛或3×10 NVT的中子流之后仍然正常工作。

XS-ZTR用金属和陶瓷等无机材料特别制造。绕组为陶瓷绝缘贵金属合金。采用高温合金焊接或银焊接点。导线恺装在不锈钢护皮内。导线材质主要是镍，经氧化镁绝缘材料处理。产品选材具有一致的膨胀系数，以便尽可能减小热应力。因为大多数无机绝缘材料具有吸湿性，所以整个线圈组被焊封于不锈钢外壳内。此工艺可以防止湿气积蓄或绝缘漏泄。它还可以防止周围的不利介质进人，保证铁芯自由移动。如有需要，导线可以采用密封的管座或连接头端接。

对于中等温度、辐射的环境清采用HR或HCA LVDT(带080选件)或MHR系列(外壳可预留定制通气孔)。

特点应用

选件

•公制螺纹铁芯

辐射电阻

某些应用要求抗Υ辐射、中子辐射、并且耐高温。在考虑详细参数和对特定应用的适应性之前，请检查一些工作定义和等效值

所有辐射均会造成某种程度的损害，因此，就要判断一物体可以承受哪种辐射、多少辐射，同时保持操作规格。充其量，只能对此作一个估计。

当辐射能落到物体上时，来自不同来源的同等能量可能会造成大小不同的损害，具体取决于辐射的形式，即，Υ射线、中子等。从质量方面看，这些不同的来源还会导致不同种类的损害。量化这些差异的一种方法就是确定单元在出现瞬时以及不可接受的损害的精况下，可以承受的辐射速率。另一个方法是确定在出现辐射的磨损损害之前，可以吸收的总累积通量。必须明确通量速率和总累积通量之间的区别。

中子积分通量和Υ辐射之间没有直接的关系。如果我们假定不同来源消散相同的能量，则该单元吸收的能量将随其吸收截面的变化而变化。如果我们尝试平衡损害程度，将出现更大的不确定性，因为不同形式的辐射会导致损害的质量差异。

性能参数

2.5KHz时的性能和电气规格

XC－ZTR系列标称 灵敏度 阻抗 相位 型号 线性量程 线性度(±%F.R.) mV/V每 欧姆 差型号 英寸 毫米 0.001英寸 毫米 初级 次级 度100 XS-ZTR ±0.100 ±2.54 0.5 1.3 51 95 250 250 XS-ZTR ±0.250 ±6.35 0.5 0.3 12 100 80 +20

布线产品尺寸

机械性能

XS－ZTR系列 重量尺寸

型号 主体铁芯A(主体)B(铁芯)

型号 盎司克盎司克 英寸 毫米 英寸 毫米

100 XS-ZTR 2.29 65 0.09 2.5 2.51 63.8 1.35 34.3 250 XS-ZTR 4.06 115 0.28 8.0 3.83 97.2 1.35 34.3

产品选型

指定XS－ZTR型号以及所需选件编号。

订购示例：

型号 500 XS－ZTR－006线性量程为±5.0英寸(500 XS－ZTR)，公制螺纹铁芯(006)。